大，凹凸边输出信号传达推迟相同，都是45ns，能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。

　　STDRIVEG600 的驱动电源电压高达 20V，还适用于驱动 N 沟道硅基MOSFET管，在驱动 GaN 器材时，能够灵敏地施加 6V 栅极-源极电压 （VGS），保证导通电阻Rds（on）保持在较低水平。此外，驱动器还集成一个自举电路，可大极限下降物料清单本钱，简化电路板布局。自举电路运用同步整流 MOSFET开关管，使自举电压到达VCC逻辑电源电压值，然后让驱动器只运用一个电源，而无需低压降稳压器 （LDO）。

　　STDRIVEG600的 dV/dt为±200V/ns，保证栅极操控在恶劣的电气环境中具有较高的牢靠性。逻辑输入兼容低至 3.3V 的 CMOS/TTL信号，便利衔接主微操控器或DSP处理器。高边电路耐受电压高达 600V，可用于高压总线V 的运用领域。

　　驱动器的输出灌电流/拉电流为5.5A/6A，并供给独立的导通和关断引脚，让规划人员能够挑选合适的栅极操控办法。此外，凹凸边电路都支撑与功率开关源极相连的开尔文衔接办法，以增强操控功用。低边驱动器的专用接地和电源电压引脚可完结开尔文衔接，保证开关操作安稳，并答应运用分流电阻器检测电流，而无需额定的阻隔或输入滤波电路。

　　驱动器内置齐备的安全维护功用，其间，凹凸边驱动欠压确定 （UVLO）能够防止功率开关管在低功率或风险工况下运转；互锁维护能够防止开关管穿插导通。其他维护功用包含过热维护、 省电封闭功用专用引脚。

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